सीमॉस प्रक्रिया विशेषताएं


बेसलाइन प्रौद्योगिकी विशेषताएं   मुख्य प्रक्रिया विशेषताएं
1.8V कोर सीमॉस   8" पी-टाइप Ar- अनील्ड सिलिकॉन वेफर्स (typically)
1.8V अथवा 3.3V I/O   शैलो ट्रेंच आईसोलेशन(STI)
एकल पॉलीसिलिकॉन तथा 4-6 धातु की परतें   रेट्रोग्रेड वैल्स
22-32 मास्क परतें(परिपथ की जटिलता एवं मिक्सड सिगनल/ एनालॉग विशेषताओं पर आधारित)   नाइट्राइटेड गेट ऑक्साइड (1.8V-सीमॉस)
      गेट ऑक्साइड (3.3 V- सीमॉस)
एनॉलॉग प्रक्रिया माड्यूल्स   डयूअल गेट पॉली (p+ पीमॉस के लिए और n+ एनमॉस के लिए)
उच्च Vt मॉसफेट्स(निम्न क्षरण धारा ~एक कोटि कम)   चयनित कोबाल्ट सैलिसिडेशन(सोर्स /ड्रेन डिफ्यूजन एवं गेट पॉली) के लिए
मेटल-इन्‍स्‍युलेटर-मेटल (MIM) संधारित्र (1fF/Ám2)   टंगस्टन(W) प्लग (कोन्टेक्ट / विया के लिए) 
गहरा N-Well ( आवाज प्रतिरोध के लिए आइसोलेटेड p-Wells)   Ti/TiN/AlCu/Ti/TiN मेटल इन्टर-कनेक्ट्स
उच्च प्रतिरोधक पॉलीसिलिकॉन रसिस्टर - HIPO (1k/sq)   उच्च घनत्व प्लाज्मा(HDP) गैप फिल ऑक्साइड इंटर मेटल   डाइइलेक्ट्रिक्‍स (IMD) के लिए
मोटी अंतिम धातु परत (2Ám)   एसटीआई ऑक्साइड, आइएमडी एवं टंगस्टन-प्‍लग के लिए केमिकल मैकेनिकल प्‍लेनेराइजेशन(CMP)
         
मानक लाइब्रेरी प्रकोष्‍ठ/इकाई
प्रकार वर्णन
मानक प्रकोष्‍ठ/इकाई
1.8V- मानक लाइब्रेरी प्रकोष्‍ठ/इकाई
(540 cells; height = 5.6 Ám)
मेमोरी कट्स एसपी-एसआरएएम : 10 साइज
डीपी- एसआरएएम : 10 साइज
Via-प्रोग्रामेबल आरओएम : 10 sizes
I/O प्रकोष्‍ठ/इकाई 1.8V & 1.8V/3.3V
(डिजाइन का प्रयोग अधिकतम बाहरी
संधारित्रता 40pF पर एवं पिन पैकेज इंडक्‍टैंस 20nH के लि
130MHz आवृति तक किया जाए)
1.8V लॉजिक डिजाइन के लिए मानक प्रकोष्‍ठ/इकाई
I/O लाइब्रेरी कक्ष
एसआरएएम और आरओएम ब्लाक्स/कट्स